Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > RS1E170GNTB
RFQs/Orden (0)
español
español
3363247Imagen RS1E170GNTBLAPIS Semiconductor

RS1E170GNTB

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
2500+
$0.25
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    RS1E170GNTB
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.RS1E170GNTB.pdf
    2.RS1E170GNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-HSOP
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.7 mOhm @ 17A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3W (Ta), 23.7W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    RS1E170GNTBTR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    40 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    720pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 17A (Ta) 3W (Ta), 23.7W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    17A (Ta)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "RS1E170GNTB".
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
RS1DTR

RS1DTR

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Fabricantes: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Existencias disponibles
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Descripción: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.