RS1E280BNTB

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Especificaciones

Número de pieza

RS1E280BNTB
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RS1E280BNTB.pdf
2.RS1E280BNTB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-HSOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.3 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 30W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

RS1E280BNTBTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

94nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 28A (Ta) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

28A (Ta)

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Descripción:

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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