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RSR010N10TL

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Especificaciones

Número de pieza

RSR010N10TL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RSR010N10TL.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

520 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

540mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-96
Otros nombres

RSR010N10TLCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.5nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 1A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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