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Imagen RV2C014BCT2CL

LAPIS Semiconductor

RV2C014BCT2CL

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Especificaciones

Número de pieza

RV2C014BCT2CL
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RV2C014BCT2CL.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 100µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DFN1006-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 1.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Otros nombres

RV2C014BCT2CLTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 700mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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