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Imagen RV2C002UNT2L

LAPIS Semiconductor

RV2C002UNT2L

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Especificaciones

Número de pieza

RV2C002UNT2L
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 0.18A VML1006
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.RV2C002UNT2L.pdf
2.RV2C002UNT2L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DFN1006-3 (VML1006)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 150mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

100mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

RV2C002UNT2LTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 (VML1006)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180mA (Ta)

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