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6545652Imagen SP8M21FRATBLAPIS Semiconductor

SP8M21FRATB

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SP8M21FRATB
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.SP8M21FRATB.pdf
    2.SP8M21FRATB.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Paquete del dispositivo
    8-SOP
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V
  • Potencia - Max
    2W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    SP8M21FRATBCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1400pF @ 10V, 2400pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    21.6nC @ 5V, 28nC @ 5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    45V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel 45V 6A (Ta), 4A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta), 4A (Ta)

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