SP8M5FU6TB

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Especificaciones

Número de pieza

SP8M5FU6TB
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SP8M5FU6TB.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-SOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

28 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max

2W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.1nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 7A
Número de pieza base

*M5

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SP8M21FRATB

Descripción: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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