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UM6K1NTN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    UM6K1NTN
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    UM6K1NTN.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 100µA
  • Paquete del dispositivo
    UMT6
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8 Ohm @ 10mA, 4V
  • Potencia - Max
    150mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Otros nombres
    UM6K1NTNTR
    UM6K1NTR
    UM6K1NTR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    13pF @ 5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount UMT6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100mA
  • Número de pieza base
    *K1

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Descripción: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

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Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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Fabricantes: Microsemi
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UM62009SHORTSET

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Descripción: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Fabricantes: Bopla Enclosures
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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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UM62009LSET

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Descripción: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Fabricantes: Bopla Enclosures
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