TSM680P06DPQ56 RLG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM680P06DPQ56 RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-PDFN (5x6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

68 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max

3.5W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

TSM680P06DPQ56 RLGDKR
TSM680P06DPQ56 RLGDKR-ND
TSM680P06DPQ56RLGDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

16.4nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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TSM6866SDCA RVG

Descripción: MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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