US5U35TR

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Especificaciones

Número de pieza

US5U35TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
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Descripción

MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.US5U35TR.pdf
2.US5U35TR.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT5
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

800 mOhm @ 700mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.7nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

45V
Descripción detallada

P-Channel 45V 700mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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