US5U38TR

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Especificaciones

Número de pieza

US5U38TR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

US5U38TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TUMT5
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

390 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Otros nombres

US5U38CT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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