LND150N3-G

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Especificaciones

Número de pieza

LND150N3-G
Fabricante / Marca

Micrel / Microchip Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

LND150N3-G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1000 Ohm @ 500µA, 0V
La disipación de energía (máximo)

740mW (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30mA (Tj)

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SQ3419EV-T1_GE3

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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