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433957Imagen 1N5406-TPMicro Commercial Components (MCC)

1N5406-TP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5406-TP
  • Fabricante / Marca
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1N5406-TP.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    DO-201AD
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-201AD, Axial
  • Otros nombres
    1N5406-TPTR
    1N5406TP
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    1N5406

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
1N5406-T

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
1N5406GP-TP

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
RFQ
1N5406G-T

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
1N5406GP-E3/54

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
1N5406RLG

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N5406GHA0G

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
1N5405-E3/54

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
1N5406RL

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N5406-B

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
1N5406G A0G

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
1N5405

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N5406

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Fairchild/ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N5406

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N5406-E3/73

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
1N5406-E3/54

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
1N5406G

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N5406GHR0G

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
1N5406-G

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: Comchip Technology
Existencias disponibles
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
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