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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

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MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

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Especificaciones

Número de pieza

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

2.5 V ~ 3.6 V
Tecnología

FLASH - NAND
Serie

-
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

512Gb (64G x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Descripción detallada

FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 333MHz
Frecuencia de reloj

333MHz

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Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology

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MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

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Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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MT29E512G08CMCCBH7-6:C

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Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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Descripción: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

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