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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR
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MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR-ND
    MT29E512G08CKCBBH7-6:BTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Gb (64G x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 167MHz
  • Frecuencia de reloj
    167MHz

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MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

Descripción: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR

Descripción: IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E512G08CKCCBH7-6:C

MT29E512G08CKCCBH7-6:C

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

MT29E512G08CUCDBJ6-6:D TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT29E4T08EYHBBG9-3:B

MT29E4T08EYHBBG9-3:B

Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

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Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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MT29E512G08CMCCBH7-6:C

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Descripción: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

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Descripción: IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

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