1901361

MT40A1G16WBU-083E:B TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT40A1G16WBU-083E:B TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MT40A1G16WBU-083E:B TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.26 V
Tecnología

SDRAM - DDR4
Paquete del dispositivo

96-FBGA (8x14)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

96-TFBGA
Otros nombres

557-1681-2
MT40A1G16WBU-083E:B TR-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

16Gb (1G x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR4 Memory IC 16Gb (1G x 16) Parallel 1.2GHz 96-FBGA (8x14)
Frecuencia de reloj

1.2GHz

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology

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MT4-0R07F1

Descripción: RES 0.07 OHM 4.5W 1% AXIAL

Fabricantes: Riedon

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Descripción: RES 0.05 OHM 4.5W 1% AXIAL

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Descripción: RES 0.01 OHM 4.5W 1% AXIAL

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Descripción: RES 0.03 OHM 4.5W 1% AXIAL

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Descripción: RES 0.1 OHM 4.5W 1% AXIAL

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