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Casa > Productos > Resistencias > A través de resistencias de agujero > MT4-0R01F1
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2515179Imagen MT4-0R01F1Riedon

MT4-0R01F1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT4-0R01F1
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RES 0.01 OHM 4.5W 1% AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Tolerancia
    ±1%
  • Coeficiente de temperatura
    -
  • Paquete del dispositivo
    Axial
  • Tamaño / Medidas
    0.252" Dia x 0.752" L (6.40mm x 19.10mm)
  • Serie
    MT
  • Paso de banda Ripple (Db)
    10 mOhms
  • Potencia (W)
    4.5W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Axial
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • No. de terminaciones
    2
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    10 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Altura - Asiento (Máx)
    -
  • Caracteristicas
    Current Sense, Moisture Resistant
  • Tasa de fracaso
    -
  • Descripción detallada
    10 mOhms ±1% 4.5W Through Hole Resistor Axial Current Sense, Moisture Resistant Thick Film
  • Composición
    Thick Film
MT40A1G16WBU-075E:B

MT40A1G16WBU-075E:B

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT4-0R05F1

MT4-0R05F1

Descripción: RES 0.05 OHM 4.5W 1% AXIAL

Fabricantes: Riedon
Existencias disponibles
MT4-0R07F1

MT4-0R07F1

Descripción: RES 0.07 OHM 4.5W 1% AXIAL

Fabricantes: Riedon
Existencias disponibles
MT40A1G16HBA-083E:A

MT40A1G16HBA-083E:A

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G4RH-083E:B

MT40A1G4RH-083E:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G16WBU-083E:B

MT40A1G16WBU-083E:B

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G8SA-062E IT:E TR

MT40A1G8SA-062E IT:E TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G8SA-062E IT:E

MT40A1G8SA-062E IT:E

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G4HX-083E:A

MT40A1G4HX-083E:A

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G4RH-075E:B

MT40A1G4RH-075E:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G8PM-083E:A TR

MT40A1G8PM-083E:A TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G4HX-093E:A

MT40A1G4HX-093E:A

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT4-0R1F1

MT4-0R1F1

Descripción: RES 0.1 OHM 4.5W 1% AXIAL

Fabricantes: Riedon
Existencias disponibles
MT40A1G8PM-083E:A

MT40A1G8PM-083E:A

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G16WBU-075E:B TR

MT40A1G16WBU-075E:B TR

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G16HBA-083E:A TR

MT40A1G16HBA-083E:A TR

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G8SA-062E:E

MT40A1G8SA-062E:E

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT4-0R03F1

MT4-0R03F1

Descripción: RES 0.03 OHM 4.5W 1% AXIAL

Fabricantes: Riedon
Existencias disponibles
MT40A1G16WBU-083E:B TR

MT40A1G16WBU-083E:B TR

Descripción: IC DRAM 16G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A1G4RH-075E:B TR

MT40A1G4RH-075E:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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