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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT40A2G4SA-062E:E

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MT40A2G4SA-062E:E

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Especificaciones

Número de pieza

MT40A2G4SA-062E:E
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MT40A2G4SA-062E:E.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.26 V
Tecnología

SDRAM - DDR4
Serie

-
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 95°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

8Gb (2G x 4)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.6GHz
Frecuencia de reloj

1.6GHz

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

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MT40A2G4WE-075E:D TR

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology

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MT40A2G4WE-075E:B

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A2G4SA-062E:E TR

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

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Descripción: DDR4 4G DIE 256MX16

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