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MT40A2G4PM-083E:A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT40A2G4PM-083E:A
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR4
  • Paquete del dispositivo
    78-FBGA (9x13.2)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    78-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    8Gb (2G x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR4 Memory IC 8Gb (2G x 4) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (9x13.2)
  • Frecuencia de reloj
    1.2GHz
MT40A256M16GE-083E:B

MT40A256M16GE-083E:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16Z90BWC1

MT40A256M16Z90BWC1

Descripción: DDR4 4G DIE 256MX16

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-083E AIT:B

MT40A256M16GE-083E AIT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4TRF-107E:A

MT40A2G4TRF-107E:A

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-083E IT:B TR

MT40A256M16GE-083E IT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

MT40A256M16GE-083E AAT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4WE-075E:B TR

MT40A2G4WE-075E:B TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-075E:B

MT40A256M16GE-075E:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-083E AAT:B

MT40A256M16GE-083E AAT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4SA-075:E TR

MT40A2G4SA-075:E TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4TRF-083E:A

MT40A2G4TRF-083E:A

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

MT40A256M16GE-083E AUT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A2G4SA-075:E

MT40A2G4SA-075:E

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-083E AUT:B

MT40A256M16GE-083E AUT:B

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4SA-062E:E TR

MT40A2G4SA-062E:E TR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.6GHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

MT40A256M16GE-083E AIT:B TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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MT40A2G4WE-075E:D

MT40A2G4WE-075E:D

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Fabricantes: Micron Technology
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