MT40A512M8RH-083E AUT:B TR

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Especificaciones

Número de pieza

MT40A512M8RH-083E AUT:B TR
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

1.14 V ~ 1.26 V
Tecnología

SDRAM - DDR4
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Otros nombres

MT40A512M8RH-083E AUT:B TR-ND
MT40A512M8RH-083EAUT:BTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

4Gb (512M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz
Frecuencia de reloj

1.2GHz

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