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2319879Imagen MT40A512M8RH-083E:BMicron Technology

MT40A512M8RH-083E:B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT40A512M8RH-083E:B
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT40A512M8RH-083E:B.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.14 V ~ 1.26 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR4
  • Paquete del dispositivo
    78-FBGA (9x10.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    78-TFBGA
  • Otros nombres
    557-1749
    MT40A512M8RH-083E:B-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (512M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR4 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)
  • Frecuencia de reloj
    1.2GHz

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