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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT41J256M16HA-107:E TR
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MT41J256M16HA-107:E TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT41J256M16HA-107:E TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3
  • Paquete del dispositivo
    96-FBGA (9x14)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    96-TFBGA
  • Otros nombres
    MT41J256M16HA-107:E TR-ND
    MT41J256M16HA-107:ETR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Gb (256M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-FBGA (9x14)
  • Frecuencia de reloj
    933MHz
  • Número de pieza base
    MT41J256M16
  • Tiempo de acceso
    20ns
MT41J128M8JP-15E:G TR

MT41J128M8JP-15E:G TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16HA-093G:E

MT41J256M16HA-093G:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16HA-125:E TR

MT41J256M16HA-125:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16RE-15E IT:D

MT41J256M16RE-15E IT:D

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16HA-093G:E TR

MT41J256M16HA-093G:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M4HX-15E:D TR

MT41J256M4HX-15E:D TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M8DA-093:K

MT41J256M8DA-093:K

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16HA-093 J:E

MT41J256M16HA-093 J:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16LY-091G:N

MT41J256M16LY-091G:N

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16HA-107:E

MT41J256M16HA-107:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J128M8JP-15E:G

MT41J128M8JP-15E:G

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J128M8JP-15E IT:G TR

MT41J128M8JP-15E IT:G TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16HA-093:E TR

MT41J256M16HA-093:E TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M8DA-093:K TR

MT41J256M8DA-093:K TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M4JP-15E:G

MT41J256M4JP-15E:G

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M4JP-125:G

MT41J256M4JP-125:G

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16HA-125:E

MT41J256M16HA-125:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J1G4THD-15E:D

MT41J1G4THD-15E:D

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT41J256M16LY-091G:N TR

MT41J256M16LY-091G:N TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT41J256M16HA-093:E

MT41J256M16HA-093:E

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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