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MT41J256M4JP-15E:G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT41J256M4JP-15E:G
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT41J256M4JP-15E:G.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR3
  • Paquete del dispositivo
    78-FBGA (8x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    78-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (256M x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (256M x 4) Parallel 667MHz 78-FBGA (8x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    667MHz
  • Número de pieza base
    MT41J256M4

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Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT41J256M4HX-15E:D TR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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