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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT45W8MW16BGX-701 WT TR
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311805Imagen MT45W8MW16BGX-701 WT TRMicron Technology

MT45W8MW16BGX-701 WT TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT45W8MW16BGX-701 WT TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT45W8MW16BGX-701 WT TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    70ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    PSRAM (Pseudo SRAM)
  • Paquete del dispositivo
    54-VFBGA (8x10)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    54-VFBGA
  • Otros nombres
    MT45W8MW16BGX-701 WT TR-ND
    MT45W8MW16BGX-701WTTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    PSRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 104MHz 70ns 54-VFBGA (8x10)
  • Frecuencia de reloj
    104MHz
  • Número de pieza base
    MT45W8MW16
  • Tiempo de acceso
    70ns

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Descripción: IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

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Descripción: IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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Descripción: IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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