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MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    60-VFBGA (10x10)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-VFBGA
  • Otros nombres
    MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR-ND
    MT46H128M16LFB7-5IT:BTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (128M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 200MHz 5.0ns 60-VFBGA (10x10)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT46H128M16
  • Tiempo de acceso
    5.0ns

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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Descripción: IC PSRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

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Descripción: IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

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Descripción: IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

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