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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT46V64M8BN-6:F

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Imagen MT46V64M8BN-6:F

Micron Technology

MT46V64M8BN-6:F

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Especificaciones

Número de pieza

MT46V64M8BN-6:F
Fabricante / Marca

Micron Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MT46V64M8BN-6:F.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

2.3 V ~ 2.7 V
Tecnología

SDRAM - DDR
Paquete del dispositivo

60-FBGA (10x12.5)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

60-TFBGA
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

5 (48 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

512Mb (64M x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
Frecuencia de reloj

167MHz
Número de pieza base

MT46V64M8
Tiempo de acceso

700ps

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