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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT46V64M8BN-5B:D TR
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1843930Imagen MT46V64M8BN-5B:D TRMicron Technology

MT46V64M8BN-5B:D TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46V64M8BN-5B:D TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.5 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Otros nombres
    MT46V64M8BN-5B:D TR-ND
    MT46V64M8BN-5B:DTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Número de pieza base
    MT46V64M8
  • Tiempo de acceso
    700ps

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MT46V64M8BN-6:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M4TG-75:G

MT46V64M4TG-75:G

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT46V64M4P-6T:GTR

MT46V64M4P-6T:GTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT46V64M4P-5B:K

MT46V64M4P-5B:K

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT46V64M8BN-6 IT:F TR

MT46V64M8BN-6 IT:F TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT46V64M8BN-6:F

MT46V64M8BN-6:F

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT46V64M8BN-6:D

MT46V64M8BN-6:D

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8BN-6 L:F TR

MT46V64M8BN-6 L:F TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT46V64M4TG-6T:G TR

MT46V64M4TG-6T:G TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8BN-6:F TR

MT46V64M8BN-6:F TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M4TG-5B:G TR

MT46V64M4TG-5B:G TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M4TG-75:G TR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8BN-5B:F TR

MT46V64M8BN-5B:F TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M4P-5B:M

MT46V64M4P-5B:M

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

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MT46V64M4P-5B:G TR

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MT46V64M8BN-6 IT:F

MT46V64M8BN-6 IT:F

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MT46V64M8BN-5B:F

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MT46V64M4P-6T:K

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