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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT46V64M8FN-75:D
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217982Imagen MT46V64M8FN-75:DMicron Technology

MT46V64M8FN-75:D

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT46V64M8FN-75:D
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (10x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 133MHz 750ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    133MHz
  • Número de pieza base
    MT46V64M8
  • Tiempo de acceso
    750ps

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

Fabricantes: Micron Technology
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MT46V64M8P-5B L IT:J TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M8P-5B L IT:J

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M8FN-6 IT:F

MT46V64M8FN-6 IT:F

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46V64M8P-5B IT:J TR

MT46V64M8P-5B IT:J TR

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MT46V64M8FN-75 L:D

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MT46V64M8CY-5B:J TR

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MT46V64M8FN-6 IT:F TR

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