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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT47H128M16RT-3:C
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5431429Imagen MT47H128M16RT-3:CMicron Technology

MT47H128M16RT-3:C

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H128M16RT-3:C
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT47H128M16RT-3:C.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    84-FBGA (9x12.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    84-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (128M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-FBGA (9x12.5)
  • Frecuencia de reloj
    333MHz
  • Número de pieza base
    MT47H128M16
  • Tiempo de acceso
    450ps

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M16RT-25E XIT:C

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

MT47H128M16RT-25E AAT:C TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M16RT-25E:C

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M4BT-37E:A TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M4B6-25:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M4B6-25E:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M16RT-25E IT:C

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H128M4CB-5E:B TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M4B6-3:D TR

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H128M16RT-25E AIT:C

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

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