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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT47H128M4CB-3:B TR
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1308219Imagen MT47H128M4CB-3:B TRMicron Technology

MT47H128M4CB-3:B TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H128M4CB-3:B TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT47H128M4CB-3:B TR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-FBGA
  • Otros nombres
    MT47H128M4CB-3:B TR-ND
    MT47H128M4CB-3:BTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (128M x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA
  • Frecuencia de reloj
    333MHz
  • Número de pieza base
    MT47H128M4
  • Tiempo de acceso
    450ps

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Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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