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MT47H256M8EB-187E:C TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H256M8EB-187E:C TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Otros nombres
    MT47H256M8EB-187E:C TR-ND
    MT47H256M8EB-187E:CTR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (256M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 533MHz 350ps 60-FBGA (9x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    533MHz
  • Número de pieza base
    MT47H256M8
  • Tiempo de acceso
    350ps
MT47H256M8EB-25E IT:C

MT47H256M8EB-25E IT:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M8EB-25E XIT:C

MT47H256M8EB-25E XIT:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4HQ-187E:E TR

MT47H256M4HQ-187E:E TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M8EB-187E:C

MT47H256M8EB-187E:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

MT47H256M8EB-25E XIT:C TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M8EB-25E AIT:C

MT47H256M8EB-25E AIT:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4HQ-3:E TR

MT47H256M4HQ-3:E TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4CF-3:H

MT47H256M4CF-3:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M4CF-3 IT:H

MT47H256M4CF-3 IT:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4CF-25E:H

MT47H256M4CF-25E:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H256M8EB-25E:C

MT47H256M8EB-25E:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4CF-3:H TR

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E IT:C TR

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

MT47H256M8EB-25E AIT:C TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H256M4SH-25E:M

MT47H256M4SH-25E:M

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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