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MT47H512M4THN-3:H

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H512M4THN-3:H
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT47H512M4THN-3:H.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    63-FBGA (9x11.5)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    63-FBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (512M x 4)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (9x11.5)
  • Frecuencia de reloj
    333MHz
  • Número de pieza base
    MT47H512M4
  • Tiempo de acceso
    450ps

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT47H32M8BP-5E:B TR

MT47H32M8BP-5E:B TR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
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MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M4EB-25E:C TR

MT47H512M4EB-25E:C TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M16BT-37E:A

MT47H64M16BT-37E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M8WTR-25E:C

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M8WTR-25E:C TR

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Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M4EB-3:C

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H64M16BT-5E:A

MT47H64M16BT-5E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M4THN-37E:E TR

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H64M16B7-5E:A

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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M4EB-187E:C

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Micron Technology
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MT47H512M4THN-25E:M

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Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

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