Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT47H64M16B7-37E:A TR
RFQs/Orden (0)
español
español
4857739Imagen MT47H64M16B7-37E:A TRMicron Technology

MT47H64M16B7-37E:A TR

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1000+
$84.037
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    MT47H64M16B7-37E:A TR
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - DDR2
  • Paquete del dispositivo
    92-FBGA (11x19)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    92-VFBGA
  • Otros nombres
    MT47H64M16B7-37E:A TR-ND
    MT47H64M16B7-37E:ATR
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    1Gb (64M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 267MHz 400ps 92-FBGA (11x19)
  • Frecuencia de reloj
    267MHz
  • Número de pieza base
    MT47H64M16
  • Tiempo de acceso
    400ps
MT47H512M4THN-3:H

MT47H512M4THN-3:H

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16HR-187E:H TR

MT47H64M16HR-187E:H TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16BT-37E:A

MT47H64M16BT-37E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16HR-187E:H

MT47H64M16HR-187E:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16HR-25:H

MT47H64M16HR-25:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16B7-37E:A

MT47H64M16B7-37E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16HR-25 IT:H

MT47H64M16HR-25 IT:H

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16HR-25 IT:H TR

MT47H64M16HR-25 IT:H TR

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M8WTR-25E:C TR

MT47H512M8WTR-25E:C TR

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M4THN-37E:E TR

MT47H512M4THN-37E:E TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16BT-5E:A

MT47H64M16BT-5E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M8WTR-3:C

MT47H512M8WTR-3:C

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M8WTR-25E:C

MT47H512M8WTR-25E:C

Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M

Descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

Descripción: IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir