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2626444Imagen 1N4150UR-1Microsemi

1N4150UR-1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N4150UR-1
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N4150UR-1.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1V @ 200mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    50V
  • Paquete del dispositivo
    DO-213AA
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    DO-213AA (Glass)
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 50V 200mA Surface Mount DO-213AA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100nA @ 50V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    200mA
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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Fabricantes: Fairchild/ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

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