1N4150W-G3-08

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Especificaciones

Número de pieza

1N4150W-G3-08
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1N4150W-G3-08.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 200mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

50V
Paquete del dispositivo

SOD-123
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOD-123
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

49 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 50V 200mA Surface Mount SOD-123
Corriente - Fuga inversa a Vr

100nA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io)

200mA
Capacitancia Vr, F

2.5pF @ 0V, 1MHz

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1N4150

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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