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1N5419US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5419US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 500V 3A D5B
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N5419US.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 9A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    500V
  • Paquete del dispositivo
    D-5B
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    250ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    E-MELF
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 500V 3A Surface Mount D-5B
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 500V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    3A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

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Descripción: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

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Descripción: ZENER DIODE

Fabricantes: Microsemi
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1N5519B (DO35)

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Descripción: DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35

Fabricantes: Microsemi
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