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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N5623US
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1N5623US

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5623US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N5623US.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1A
  • Tensión - Desglose
    D-5A
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    15pF @ 12V, 1MHz
  • Polarización
    SQ-MELF, A
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    500ns
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    1N5623US
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
  • configuración de diodo
    500nA @ 1000V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1.6V @ 3A
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    1000V (1kV)
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Fabricantes: Microsemi Corporation
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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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