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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N5622C.TR
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1N5622C.TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N5622C.TR
  • Fabricante / Marca
    Semtech
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    1N5622C.TR.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.1V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    Axial
  • Velocidad
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    2µs
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    Axial
  • Otros nombres
    1N5622C.CT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    Not Applicable
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Tipo de diodo
    Avalanche
  • Descripción detallada
    Diode Avalanche 1000V 2A Through Hole Axial
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    500nA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2A
  • Capacitancia Vr, F
    23pF @ 5V, 1MHz

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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