Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > 1N6080US
RFQs/Orden (0)
español
español
3065521

1N6080US

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
100+
$38.43
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    1N6080US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    1N6080US.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.5V @ 37.7A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    G-MELF (D-5C)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    30ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SQ-MELF, G
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 155°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    10µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    2A
  • Capacitancia Vr, F
    -

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "1N6080US".
1N6096

1N6096

Descripción: SCHOTTKY RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6080

1N6080

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL

Fabricantes: Semtech
Existencias disponibles
RFQ
1N6079US

1N6079US

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6081US

1N6081US

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6078US

1N6078US

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 6A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6077US

1N6077US

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6095

1N6095

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N6096

1N6096

Descripción: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N6079

1N6079

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 5A AXIAL

Fabricantes: Semtech
Existencias disponibles
RFQ
1N6081

1N6081

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 5A AXIAL

Fabricantes: Semtech
Existencias disponibles
RFQ
1N6081

1N6081

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6078

1N6078

Descripción: DIODE GEN PURP 150V 1.3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6096R

1N6096R

Descripción: DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N6097

1N6097

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO203AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
RFQ
1N6095R

1N6095R

Descripción: DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N6080

1N6080

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6079

1N6079

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6077

1N6077

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
1N6097

1N6097

Descripción: DIODE SCHOTTKY 30V 50A DO5

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
1N6076US

1N6076US

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 6A D5B

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.