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1N6081US

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Especificaciones

Número de pieza

1N6081US
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

1N6081US.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.5V @ 37.7A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

150V
Paquete del dispositivo

G-MELF (D-5C)
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

30ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SQ-MELF, G
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 155°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 150V 2A Surface Mount G-MELF (D-5C)
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 150V
Corriente - rectificada media (Io)

2A
Capacitancia Vr, F

-

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