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5738127Imagen 1N647UR-1Microsemi Corporation

1N647UR-1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    1N647UR-1
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    Standard
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    400mA
  • Tensión - Desglose
    DO-213AA
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Bulk
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • Polarización
    DO-213AA (Glass)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Número de pieza del fabricante
    1N647UR-1
  • Descripción ampliada
    Diode Standard 400V 400mA Surface Mount DO-213AA
  • configuración de diodo
    50nA @ 400V
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1V @ 400mA
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    400V
  • Capacitancia Vr, F
    -65°C ~ 175°C
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6478HE3/97

1N6478HE3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6482-E3/96

1N6482-E3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6478-E3/97

1N6478-E3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6479-E3/96

1N6479-E3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
1N648-1

1N648-1

Descripción: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
1N6478-E3/96

1N6478-E3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6476US

1N6476US

Descripción: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricantes: Semtech
Existencias disponibles
1N6481HE3/97

1N6481HE3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6478HE3/96

1N6478HE3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Existencias disponibles
1N6481-E3/97

1N6481-E3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
1N6476US

1N6476US

Descripción: TVS DIODE 51.6VWM 78.5VC GMELF

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles

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