1N6478-E3/96

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Especificaciones

Número de pieza

1N6478-E3/96
Fabricante / Marca

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.1N6478-E3/96.pdf
2.1N6478-E3/96.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

Standard
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1A
Tensión - Desglose

DO-213AB
Serie

SUPERECTIFIER®
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
Tiempo de recuperación inversa (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistencia @ Si, F

8pF @ 4V, 1MHz
Polarización

DO-213AB, MELF (Glass)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Número de pieza del fabricante

1N6478-E3/96
Descripción ampliada

Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-213AB
configuración de diodo

10µA @ 50V
Descripción

DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.1V @ 1A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

50V
Capacitancia Vr, F

-65°C ~ 175°C

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Descripción: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricantes: Semtech

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