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APT10SCD65KCT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT10SCD65KCT
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SILICON 650V 17A TO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APT10SCD65KCT.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.8V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    650V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220
  • Velocidad
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    0ns
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    200µA @ 650V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    17A

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