Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APT1201R4BFLLG

RFQs/Orden (0)

español

español

6742798

Imagen APT1201R4BFLLG

Microsemi

APT1201R4BFLLG

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

30+

$22.015

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

APT1201R4BFLLG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT1201R4BFLLG.pdf
2.APT1201R4BFLLG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 7®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2030pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

75nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 9A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "APT1201R4BFLLG".

APT10SCD120K

Descripción: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT12067JLL

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT12057JLL

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT12031JFLL

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Descripción: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT12057B2FLLG

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Fabricantes: Microsemi Corporation

Existencias disponibles

APT12067B2FLLG

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Fabricantes: Microsemi Corporation

Existencias disponibles

APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descripción: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT10SCD65K

Descripción: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT11F80B

Descripción: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT12067B2LLG

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT11F80S

Descripción: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT11GP60BDQBG

Descripción: IGBT 600V 41A 187W TO247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Descripción: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT11N80BC3G

Descripción: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT12057B2LLG

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT12057LFLLG

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Descripción: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT1204R7BFLLG

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.