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1791392Imagen APT34M60BMicrosemi

APT34M60B

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60+
$12.955
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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT34M60B
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247 [B]
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    190 mOhm @ 17A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    624W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    22 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6640pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    600V
  • Descripción detallada
    N-Channel 600V 36A (Tc) 624W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    36A (Tc)
APT34F100L

APT34F100L

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Descripción: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT34M120J

APT34M120J

Descripción: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT34F60BG

APT34F60BG

Descripción: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35GP120J

APT35GP120J

Descripción: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

Descripción: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Descripción: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35GA90B

APT35GA90B

Descripción: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Descripción: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT33N90JCCU3

APT33N90JCCU3

Descripción: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Descripción: IGBT 900V 63A 290W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Descripción: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Descripción: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G

Descripción: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Descripción: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Descripción: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT34F100B2

APT34F100B2

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT34F60B

APT34F60B

Descripción: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Descripción: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Descripción: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Fabricantes: Microsemi
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