APT33N90JCCU2

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Especificaciones

Número de pieza

APT33N90JCCU2
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APT33N90JCCU2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 3mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-227
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

120 mOhm @ 26A, 10V
La disipación de energía (máximo)

290W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

270nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

N-Channel 900V 33A (Tc) 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Tc)

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APT33GF120LRDQ2G

Descripción: IGBT 1200V 64A 357W TO264

Fabricantes: Microsemi

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