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APT45GR65SSCD10

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT45GR65SSCD10
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 45A
  • Condición de prueba
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    15ns/100ns
  • Paquete del dispositivo
    D3Pak
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    80ns
  • Potencia - Max
    543W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • puerta de carga
    203nC
  • Descripción detallada
    IGBT NPT 650V 118A 543W Surface Mount D3Pak
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    224A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    118A
APT45GP120J

APT45GP120J

Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Descripción: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Descripción: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT47M60J

APT47M60J

Descripción: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Descripción: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT44GA60B

APT44GA60B

Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Descripción: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT45M100J

APT45M100J

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Descripción: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT48M80B2

APT48M80B2

Descripción: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT47F60J

APT47F60J

Descripción: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Descripción: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Descripción: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Descripción: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Descripción: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT45GR65B

APT45GR65B

Descripción: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Descripción: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Fabricantes: Microsemi Corporation
Existencias disponibles

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