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3153104Imagen APT50GF120B2RGMicrosemi

APT50GF120B2RG

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30+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT50GF120B2RG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 135A 781W TMAX
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APT50GF120B2RG.pdf
    2.APT50GF120B2RG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 50A
  • Condición de prueba
    800V, 50A, 1 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    25ns/260ns
  • Cambio de Energía
    3.6mJ (on), 2.64mJ (off)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    781W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • puerta de carga
    340nC
  • Descripción detallada
    IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    150A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    135A

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Descripción: IGBT 1200V 135A 781W TO264

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Fabricantes: Microsemi Corporation
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Fabricantes: Microsemi
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Descripción: MOD DIODE 1200V SOT-227

Fabricantes: Microsemi
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