Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-IGBTs-escoja > APT50GN60BDQ2G

RFQs/Orden (0)

español

español

4107459

Imagen APT50GN60BDQ2G

Microsemi

APT50GN60BDQ2G

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

90+

$6.433

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

APT50GN60BDQ2G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 600V 107A 366W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APT50GN60BDQ2G.pdf
2.APT50GN60BDQ2G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A
Condición de prueba

400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

20ns/230ns
Cambio de Energía

1185µJ (on), 1565µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247 [B]
Serie

-
Potencia - Max

366W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Otros nombres

APT50GN60BDQ2GMI
APT50GN60BDQ2GMI-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
puerta de carga

325nC
Descripción detallada

IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B]
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

150A
Corriente - colector (Ic) (Max)

107A

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "APT50GN60BDQ2G".

APT50GR120JD30

Descripción: IGBT 1200V 84A 417W SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GP60BG

Descripción: IGBT 600V 100A 625W TO247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GN60BG

Descripción: IGBT 600V 107A 366W TO247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GS60BRDLG

Descripción: IGBT 600V 93A 415W TO247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GP60JDQ2

Descripción: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G

Descripción: IGBT 1200V 134A 543W TO264

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GR120L

Descripción: IGBT 1200V 117A 694W TO264

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GF60JU3

Descripción: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GF60JCU2

Descripción: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GF120B2RG

Descripción: IGBT 1200V 135A 781W TMAX

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

Descripción: IGBT 1200V 120A 521W SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GLQ65JU2

APT50GLQ65JU2

Descripción: POWER MODULE - IGBT

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GN120B2G

Descripción: IGBT 1200V 134A 543W TO-247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GR120B2

Descripción: IGBT 1200V 117A 694W TO247

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GP60J

Descripción: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GF120LRG

Descripción: IGBT 1200V 135A 781W TO264

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GP60LDLG

APT50GP60LDLG

Descripción: IGBT 600V 150A 625W TO264

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GF60JU2

Descripción: IGBT 600V 75A 277W SOT227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50DL60HJ

Descripción: MOD DIODE 600V SOT-227

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

Descripción: IGBT 600V 150A 625W TMAX

Fabricantes: Microsemi

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.