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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APT94N65B2C6
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5160447Imagen APT94N65B2C6Microsemi

APT94N65B2C6

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30+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    APT94N65B2C6
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APT94N65B2C6.pdf
    2.APT94N65B2C6.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 3.5mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    T-MAX™ [B2]
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    35 mOhm @ 35.2A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    833W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    18 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8140pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    320nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    Super Junction
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 95A (Tc) 833W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    95A (Tc)

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Fabricantes: Microsemi
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